最近の話題 2010年2月6日

１．ARMが次世代コアのロードマップを発表

　　2010年2月2日のEE TimesがARM社のロードマップについて報じています。それによると，ARMは2010年のうちに3種類のCortexファミリのプロセサコアを発表する予定で，Eagle，Heron，Merlinという鳥シリーズのコードネームだそうです。

　　Eagleは，現在，最上位のCortex A9の上位に位置する製品で，2GHｚクロックという報道もあります。Cortex A9はNVIDIAのTegra-2にも使われているハイエンドのスマートフォンや携帯機器などの用途向けで，さらに高機能化が進むこの分野をEagleで強化する狙いです。この分野はIntelがAtomで攻め込もうとしているところで，Defending ChampionのARMの戦いぶりがみものです。

　　中位のHeronは車のエンジン制御やディスクのコントロールなどの組み込み分野向けです。そして下位のMerlinはモーターの制御やオーディオ処理などの組み込み用途向けだそうです。

２．やっとTukwilaが日の目をみるか

　　2010年2月3日のThe Inquirerが，Intelが4コアItaniumのTukwilaを発表すると報じています。　Tukwilaは2008年2月のISSCCで論文発表されから，既に2年が経過しています。そして2009年5月23日の話題で紹介したように，The Registerが2010年1Qに遅延と書いています。従って，この情報が正しかったということになります。

　　TukwilaのHotChipsでの発表に関しては2008年9月20日の話題で紹介しています。

　　しかし，この時期に65nmプロセスで700mm2のチップで，Itaniumの共同開発パートナーのHPはともかく，他のサーバメーカーも使うのでしょうかね。

３．IntelがCore "vPro"プロセサファミリーを発表

　　2010年2月4日にIntelはｖProの改良版を発表しました。2010年2月4日のSemi Accurateによれば，これは新しいプロセサではなく，プロセサとしては既存のCore i5，i7にQ57チップセットを付け，更に，82577LM，あるいは82578DM　GbEコントローラ，Centrino Ultimate-N 6300かCentrino Advanced-N 6200とCentrino Advanced-N + WiMAX 6250ワイヤレスソリューションを含むハードウェア系で実現されるとのことです。

　　ディスクのデータは全て暗号化されており，盗まれると使用できなくするし，ディスクを取り出してもデータを見られないという状態になる。一方，回収した場合には，簡単に使用可能な元の状態に戻せるというのが売りです。また，KVMという機能でキーボード，ビデオ，マウスをリモートで操作できる機能を持っています。この機能はOSが動作していなくても使用できるということで，リモートでのパワーON/OFFと合わせて，コーポレートのセンターから何でもできるというものです。

　　当然，パッチの適用などのメンテがリモートで出来るので，IT部門の手間が大幅に省ける訳ですが，逆に言うと，会社側がPCの中身を全部覗けるということにもなります。

４．IBMのグラフェントランジスタが100GHｚを達成

　　2010年2月5日にIBMは，IBMの研究者が，遮断周波数100GHｚのグラフェントランジスタを作ったと発表しました。

　　SiCを熱分解して高品質のグラフェン膜を成長させ，ポリマーとHfO2絶縁膜の上に金属のゲートを付けるという構造で，ゲート長240nmのグラフェントランジスタを製作しています。

　　従来のグラフェントランジスタの記録は26GHｚだったので，4倍近く性能向上しています。また，240nmのゲート長のSi FETの遮断周波数は40GHｚ程度なので，グラフェンの移動度の高さを示しています。

　　なお，このグラフェンはバンドギャップが無いので，電流のOn/Off比は小さく，ロジック用には使えないタイプです。一方，IBMはバンドギャップを作ってOn/Off比を上げる研究も行っており，100倍程度の電流比を実現しています。但し，シリコンではリークの多い高速トランジスタでも数1000倍なので，まだまだです。

５．MITが室温動作のゲルマニウムレーザーを開発

　　2010年2月4日にＭＩＴはゲルマニウムを使うレーザーの室温発振に成功したと発表しました。同じ半導体でもシリコンやゲルマニウムは間接遷移なので，伝導帯から価電子帯に電子が落ちるときのエネルギーは熱などになり，光にはならないというのが一般的な理解です。従って，ゲルマニウムでレーザーができたのは驚きです。

　　ＭＩＴサイトでの説明によると，伝導帯には間接遷移を行う状態と直接遷移を行う状態があり，ＧａＡｓなどの直接遷移の半導体では直接遷移をする方がエネルギーレベルが低いので，大部分の電子がこちらに入り，遷移の時に光が出るのですが，Geでは間接遷移を行う状態の方がエネルギーが低く，光が出る遷移がほとんど起こらないということです。

　　そこで，ＭＩＴの研究者は，リン（Ｐ）をドープして，Ｐからの余剰電子が間接遷移の状態を埋め，より多くの電子がエネルギーレベルの高い直接遷移を行う状態に入るようにしたとのことです。10**20原子/ｃｍ3のドープレベルが最適なのですに対して，今回のサンプルは10**19ですが，それでも発振に成功したとのことです。

　　しかし，この原理から行くと，間接遷移を行う電子の方が数が多く，効率は良くなさそうです。このため，ゲルマニウムに引っ張り歪を与えて，両者のエネルギーレベルを近づけるという研究も行っているとのことです。

　　GaAsに比べるとＧｅはＳｉとの相性が良いので，実用的な効率が得られるようになれば，LSIチップからの光出力が容易になるという期待があります。